| 型号： | NTLTD7900ZR2G | RoHS： | 无铅 / 符合 |
|---|---|---|---|
| 制造商： | ON Semiconductor | 描述： | MOSFET PWR N-CHAN 9A 20V 8MICRO |
详细参数 |
数值 |
|---|---|
| 产品分类 | 分离式半导体产品 >> FET - 阵列 |
| NTLTD7900ZR2G PDF |  |
| 产品变化通告 | Product Obsolescence 21/Jan/2010 |
| 标准包装 | 1 |
| 系列 | - |
| FET 型 | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点 | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 26 毫欧 @ 6.5A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 18nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 15pF @ 16V |
| 功率 - 最大 | 1.5W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-VDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装 | Micro8? |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 其它名称 | NTLTD7900ZR2GOSCT |